폴텍(주)

Ⅲ-Ⅴ 에피

Epi wafer

고객이 요청하는 구조로 에피택셜 웨이퍼를 성장하는 foundry를 제공하며, in-growth 센서 기술 채택으로 최상의 특성을 가진 에피를 성장 합니다.

GaAs 기반의 pHEMT(pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor) 기술은 낮은 소음과 매우 빠른 스위칭 속도로 인해 고속 RF 전자 분야에 특히 매력적입니다.
pHEMT의 주요 시장은 무선 핸드셋용 RF 스위치(RF 스위치)입니다.
또한, 무선 근거리 통신망(WLAN), 광섬유 통신, 위성 통신, point-to-point 마이크로파 통신, 위성 방송, 케이블 TV, 디지털 TV 및 자동차 충돌 회피시스템(자동차 레이더)과 같은 영역에도 사용됩니다.

InP 기반 HBT(Hetero-junction Bi-polar Transistor)는 일반적으로 우수한 게인, 대역폭 및 선형성을 필요로 하는 고주파 전력 증폭기/회로에 선호되는 기술입니다.
주요 응용 분야로는 40기가 비트/초(40G) 및 100G 고속 광섬유 통신 시장이 있으며, InP-HBT는 이러한 중·장거리 및 FTTX 광섬유 네트워크의 고속 전자 장치, 레이저 드라이버 및 검출기 모듈에 사용됩니다.
또한 InP-HBT 기술은 고속 테스트 장비 및 군사 기기와 같이 매우 높은 성능의 시장에도 많이 활용되고 있습니다.

이 제품은 표적 검색 및 잠금 등 군사 응용과 보안 감시 및 야간 비전과 같은 상업 영역 모두에서 중요한 기능을 제공합니다.
거의 모든 적외선 검출기 또는 초점면 배열(FPA)은 반도체 물질을 사용합니다.
예를 들어 수은 카드뮴 텔루라이드(HgCdTe, MCT)의 II-VI족, 양자 우물 적외선 검출기(QWIP) 및 갈륨 안티모나이드 type II형 변형층 초격자 적외선 검출기(GaSb형 type II 변형층 슈퍼 격자, T2SLS).
상용 반도체 파운드리에서 생산을 하면 T2SLS는 MCT와 비교했을 때 우수한 성능과 더 낮은 비용의 잠재력을 가지고 있습니다

광섬유 통신 및 데이터 전송 분야에서 다양한 파장의 반도체 레이저 웨이퍼가 사용됩니다.
광 수신기 포토다이오드의 두 가지 주요 유형은 PIN 다이오드와 APD(Avalanche Photo Diode)입니다.
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)를 사용합니다.
그러나 에피층 두께 및 도핑 농도에 대해 더 높은 정확도를 요구하는 고주파 응용에서 MBE 성장 기술을 선호되고 있습니다.
예를 들어, InAlAs / InP APD 웨이퍼의 경우, P형 dopant는 MBE 기술을 통해서만 달성할 수 있는 정밀도 수준인 10e17cm-3 범위에서 제어되어야 합니다.

GaAs based Products

- PHEMT (AlAs, InGaP Etch Stop)

- MHEMT

InP based Products

- HBT (C-doped,Be-doped, GaAsSb)

- HEMT

- RTT, RTD

Sb based Products

- Type II SLS Photodetectors

- GaAsSb-base InP HBT

- Epi-ready GaSb Substrates

Mis-matched Epi

- III-V on Si

- III-V on Ge

- High In content InGaAs on Si

Opto-electronics

- APD (Avalanche Photo Diode)

- Lasers (750nm to 1100nm)

- VCSEL

- PIN (GaAs, InP)

- QWIP

- Modulators

- Quantum Cascade Lasers